Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Popis: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах Методом электрохимического анодирования в электролите на основе фтористо-водородной кислоты на кремниевых подложках электронного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучено влияние температуры электролита и плотности тока анодирования на скорость роста и пористость пористого кремния. Using the method of electrochemical anodization in a solution based on hydrofluoric acid were obtained layres of porous silicon on the n-type wafers. The influence of temperature and current density on the growth rate and porosity of porous silicon was studied. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|