Figures of merit of nanoscale transistors at cryogenic temperature: 28nm UTBB FD SOI nMOSFET case study
| Autor: | Kazemi Esfeh, Babak, Nyssens, Lucas, Halder, Arka, Kilchytska, Valeriya, Raskin, Jean-Pierre, Flandre, Denis, 3rd Symposium on Schottky barrier MOS devices |
|---|---|
| Přispěvatelé: | UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|