| Autor: |
Jablonskytė, Lauryna |
| Přispěvatelé: |
Janavičius, Arvydas Juozapas, Norgėla, Žilvinas, Girdauskas, Valdas, Bagdzevičius, Kazimieras, Lankauskas, Alfredas, Šlekienė, Violeta, Mikučiauskienė, Dalia, Siauliai University |
| Jazyk: |
litevština |
| Rok vydání: |
2014 |
| Předmět: |
|
| Popis: |
Difuzija – dažniausiai naudojamas procesas, gaminant elektroninius prietaisus. Anglies difuzija iš epitaksinio sluoksnio kristaliniame silicyje gali būti sukelta keliais būdais. Šiame bakalauro darbe nagrinėjame netiesinę difuziją, kai bandiniai veikiami rentgeno spinduliais. Bandymui buvo naudojamos skirtingo storio Cz-Si plokštelės, padengtos plonu dc = 10 µm anglies epitaksiniu sluoksniu. Bandiniai 1 h buvo švitinami DRON-3M difraktometru skirtingos energijos minkštaisiais rentgeno spinduliais. Vario anodo įtampos atitinkamai kiekvienai plokštelei buvo parinktos 10 kV, 20 kV ir 30 kV, o srovės stipris visais atvejais - 20 mA. Šio darbo tikslas - ištirti anglies atomų difuzijos iš epitaksinio sluoksnio į silicį priklausomybę nuo rentgeno spindulių energijos. Spinduliuotės sukelti defektai (priemaišinių anglies atomų absorbcija) buvo matuojami Furje interferometru. Eksperimentas buvo vykdomas kambario temperatūroje. Didžiausią anglies atomų difuzijos koeficientą bei įsiskverbimo gylį gavome prie 10 kV. Gautus rezultatus lyginome su termodifuzijos prie 830 C temperatūros eksperimento rezultatais. Rentgeno spinduliais sukeltos difuzijos koeficientas didesnis , o įsiskverbimo gylis - . Baigiamąjį darbą sudaro 36 puslapiai be priedų, 13 paveikslų ir 1 lentelė. Diffusion - the most commonly used process in the production of electronic devices. Carbon diffusion in crystalline silicon from epitaxial layer can be induced in several ways. This bachelor thesis is dealing non-linear diffusion of the samples affected by X-rays. In this test were used Cz-Si plates of different thickness, coated with a thin dc = 10 µm layer of carbon epitaxial layer. The samples were irradiated for 1 h with DRON-3M diffractometer at different energy of soft X- rays . Cu anode voltage for each plate were different - 10 kV , 20 kV, 30 kV but a current of all cases - 20 mA . The goal of this test - to investigate the diffusion of carbon into the silicon epitaxial layer dependence on X-ray energy. Defects produced by radiation (carbon impurity absorption) were measured with Fourier interferometer. The experiment were made at room temperature. The largest carbon diffusion coefficient and penetration depth we received at 10 kV. The obtained results were compared with results of thermo diffusion at 830 C temperature. X-rays induced diffusion coefficient higher times, and the depth of penetration - times. The final thesis contains 36 pages, not including appendixes, it includes 13 pictures and 1 table. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
