Contact edge roughness in euv lithography: metrology and process evaluation

Autor: Kuppuswamy, Vijayakumar Murugesan
Přispěvatelé: Μπουντουβής, Ανδρέας, Θεοδώρου, Δώρος, Γογγολίδης, Ευάγγελος, Θεοδώρο, Δώρος, Χαριτίδης, Κωνσταντίνος, Αργείτης, Παναγιώτης, Ράπτης, Γιάννης, Τσουκαλάς, Δημήτριος, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Χημικών Μηχανικών.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2012
Předmět:
DOI: 10.26240/heal.ntua.1197
Popis: 155 σ.
Τα αυξημένα στοχαστικά φαινόμενα στις νανοκατασκευαστικές διεργασίες έχουν ως αποτέλεσμα αποκλίσεις των νανοδομών από το προβλεπόμενο σχήμα τους στο σχέδιο και την ομοιομορφία των διαστάσεών τους. Στην από πάνω προς το κάτω προσέγγιση της νανοτεχνολογίας (λιθογραφικές τεχνικές) τα φαινόμενα αυτά εκδηλώνονται κυρίως στην πλευρική τραχύτητα και στη διασπορά των διαστάσεών των νανοδομών. Ιδιαίτερα στη λιθογραφία της ακραία υπεριώδους ακτινοβολίας (Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL) τα δύο αυτά προβλήματα είναι έντονα και αποτελούν δύο από τα θέματα που πρέπει να διευθετηθούν για να χρησιμοποιηθεί η EUVL στη γραμμή παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με μικρότερη διάσταση
The increased stochastic effects in the nanofabrication processes result in patterned features with deviations from the designed shape and size uniformity. In the top-down approach to nanotechnology (lithographic techniques), the process stochasticity is manifested in the roughness of the feature surfaces and the variability of their size. The roughness and variability issues become more evident in Extreme Ultra Violet Lithography, the strongest candidate for circuit manufacturing at critical dimensions
VIJAYAKUMAR MURUGESAN KUPPUSWAMY
Databáze: OpenAIRE