Autor:	Auer, Uwe Horst
Jazyk:	němčina
Rok vydání:	1999
Předmět:	Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik Gate-Strom InP Transistor ddc:620 ddc:62 Durchbruchspannung Transistormodell InGaAs-Kanal
Popis:	Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______788::e37cd48bf02f8a91a64a5db272a05403 https://duepublico2.uni-due.de/receive/duepublico_mods_00005007 Zobrazit plný text záznamu