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In the frame of the Ph.D. thesis, we designed and fabricated an optoelectronic device suitable for absorbing infrared light. The device consists of a large area arrangement of almost 1 million nanoantennas and terahertz rectifiers which were fabricated on a glass substrate via a printing technique. The optoelectronic characterization with an infrared laser showed that the Seebeck Effect is the dominant rectification mechanism for the induced high frequency current. Im Rahmen der Doktorarbeit wurde ein optoelektronisches Bauteil zur Absorption von Infrarotstrahlung entwickelt und gefertigt. Das Bauteil wird aus einer großflächigen Anordnung von ungefähr 1 Millionen Nanoantennen und Terahertzgleichrichtern gebildet, die mittels einer Drucktechnik auf einem Glassubstrat hergestellt wurden. Die optoelektronische Untersuchung mittels eines Infrarotlasers zeigte, dass der Seebeck Effekt der dominante Rektifizierungsmechanismus für den induzierten hochfrequenten Strom ist. |