Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen
| Autor: | Bückers, Christina |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Koch, Stephan W. (Prof. Dr.) |
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2011 |
| Předmět: |
III-V semiconductors -- Physics -- Physik -- Efficiency
stability gain and other operational parameters -- Theory models and numerical simulation -- Quantum well devices (quantum dots quantum wires etc.) -- Semiconductor lasers laser diodes Modulation spectroscopy AlGaInAs AlGaInAsSb Auger-Rekombination Optischer Gewinn Modulationsspektroskopie GaAsBi Optical gain Luminescence GaNAsP Auger-recombination Semiconductor laser modelling Lumineszenz Modellierung Halbleiterlaser 2010 ddc:530 |
| Popis: | Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelektronischer Eigenschaften, die das Laserverhalten maßgeblich bestimmen. Mit dem Modell lassen sich Materialeigenschaften treffend simulieren, wie umfassende Theorie-Experiment-Vergleiche zeigen. Die Untersuchung von Absorption, optischer Verstärkung, Lumineszenz und intrinsischen Ladungsträgerverlusten durch strahlende sowie Auger-Rekombination bildet den Leitfaden zur Charakterisierung verschiedenster Halbleiterverstärkungsmedien. Darauf aufbauend werden nicht nur Lasereigenschaften wie Emissionswellenlängen und Schwellenverhalten berechenbar, sondern es lassen sich auch unbekannte und experimentell schwer zugängliche Strukturparameter bestimmen. So können Konzepte erarbeitet werden, mit denen Laserdesigns mit Blick auf die Anforderungen spezifischer Anwendungen hin optimiert und weiterentwickelt werden können, und mit denen neuartige Lasersysteme auf ihr Anwendungspotential hin eingeschätzt und bewertet werden können. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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