Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen
| Autor: | van Delft, J.A., Dingemans, G., Kessels, W.M.M. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Plasma & Materials Processing, Atomic scale processing |
| Jazyk: | Dutch; Flemish |
| Rok vydání: | 2010 |
| Zdroj: | Nevac Blad, 48(2), 6-9 |
| ISSN: | 0169-9431 |
| Popis: | Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|