Chemical role of SF6 in a SiCl4-based reactive ion etching of GaN

Autor: Karouta, F., Jacobs, B., Krämer, M.C.J.C.M., Jacobs, K., Moerman, I.
Přispěvatelé: Photonic Integration
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 1999
Zdroj: Conference on Semiconductor and Integrated OptoElectronics (SIOE'99), Paper # 23
Databáze: OpenAIRE