Lateral Scaling Effects in High-Frequency Bipolar Transistors

Autor:	Webster, M.N.
Přispěvatelé:	Radelaar, S.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	1995
Předmět:	submicrontechnologie bipolaire transistoren
Zdroj:	None
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::107003ac3cecfe886927ea5efaf82c32 http://resolver.tudelft.nl/uuid:e418a516-3d1f-4af8-9816-0c51b92cd889 Zobrazit plný text záznamu