| Popis: |
Telah dilakukan penumbuhan kristal CuInSe2 yang digunakan sebagai material target dengan metode Bridgman, pendeposisian sistem p-n junction CuInSe2 multilayer – ZnO dengan teknik RF sputtering dan karakterisasinya. Deposisi dilakukan dengan tingkat kevakuman mencapai 3,5x10-5 mbar, dengan tekanan argon sebesar 3x10-2 mbar, tegangan self –bias 1075 V, daya RF 200 W dan jarak elektroda 20 mm. Tegangan anoda ambang sebesar -10 V diberikan pada proses sputtering untuk mengoptimalkan sifat masing-masing lapisan, serta mampu menaikkan daya pada proses sputtering sebesar 24,4 %. Hasil XRD menunjukkan bahwa kristal CuInSe2 yang terbentuk berstruktur tetragonal khalkopirit dengan konstanta kisi a = 5,77278 Å dan c = 11,61888 Å. Dari Hasil XRD diketahui bahwa lapisan CuInSe2 multilayer telah terdeposisi pada substrat kaca dengan konstanta a = 5,67355 Å dan c = 11,57093 Å. Berdasarkan uji FPP lapisan CuInSe multilayer merupakan semikonduktor tipe-p dengan hambatannya (1,41 ± 0,03)x102 Ω dan nilai resistivitasnya (1,63 ± 0,04) Ωcm. Dari uji Spektrofotometer UV-vis diketahui bahwa lapisan CuInSe2 multilayer merupakan absorber yang baik pada panjang gelombang 300nm – 500nm. Pengamatan EDX memperlihatkan CuInSe2 multilayer terdeposisi di atas kaca dengan perbandingan molaritas Cu:In:Se adalah 0,35:0,93:2. Dari hasil SEM diperoleh ketebalan lapisan sebesar (1,441 ± 0,005) μm dengan laju deposisi sebesar 0,7206x10-1 μm/menit. Kata kunci: semikonduktor, CuInSe2/multilayer ZnO p-n junction, lapisan tipis, ohmic |
