Effect of rapid thermal annealing on Al doped n-ZnO films grown by RF-magnetron sputtering

Autor:	Kim, KK, Tampo, H, Song, JO, Seong, TY, Park, SJ, Lee, JM, Kim, SW, Fujita, S, Niki, S
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2005
Předmět:	Hall measurements n-type ZnO dopant activation photoluminescence rapid thermal annealing
Zdroj:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 44(7A):4776-4779
ISSN:	0021-4922
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::edc66abfc3ba6bca104e56436d75dc84 http://hdl.handle.net/2433/4826 Zobrazit plný text záznamu