InP buried growth of Si2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT

Autor:	FURUYA, KAZUHITO
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2007
Zdroj:	Journal of Crystal Growth. 298:867-870
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e98bdd6ba5f560de856d27d19af704fa http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100535086 Zobrazit plný text záznamu