MEMS ニ ヨル ナノカーボン ヒズミ インカ ソシ カイハツ ト レンゾク カヘン デンシ ジョウタイ セイギョ
| Jazyk: | japonština |
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| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 科学研究費補助金研究成果報告書. |
| Popis: | 通常の半導体材料では, バンドエンジニアリングは組成制御やドーピングにより行われるため, 外部から変調することは難しい。本研究では, 次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し, MEMS技術を用いた歪印加素子を開発し, 歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行った。その結果, カーボンナノチューブへ歪印加可能なデバイス作製に成功し歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。 For conventional semiconducting materials, band-gap engineering is realized by the composition control and doping. In this study, we focused on carbon nanotubes as a new material for band-gap engineering. We developed a strain device with MEMS technology, and we established the band-gap modulation technique with strain. We fabricated the CNT-strain devices, and we observed the emission wavelength shift under strain. 研究種目 : 挑戦的萌芽研究 研究期間 : 2014～2015 課題番号 : 26630300 研究分野 : 半導体工学 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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