Application of Porous Silicon to Electron Devices
| Autor: | Harada, Hiroshi, Hosono, Akihiko, Okuda, Soichiro, Tada, Kazuya, Sonoda, Tooru, Yoshino, Katsumi |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 1998 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 電気材料技術雑誌. 7:35-40 |
| ISSN: | 0918-9890 |
| Popis: | This paper describes novel approaches to fabricate electron devices using porous silicon. It is proved that pyramidal structured porous silicon exhibits the light emitting property, and also the field emitter of an anodized silicon tip shows the superior electron emitting characteristic. New process for both light and electron emitting devices is also proposed. 多孔質シリコンを用いた新規な構造の電子デバイスについて述べる。ピラミッド構造の多孔質シリコンと導電性高分子を用いたヘテロ接合が発光ダイオード特性を示すことを見出した。またシリコンを用いたフィールドエミッタの先端を陽極化成し多孔質化することにより、エミッション特性が向上することを示す。さらに、発光及び電子放出素子の両者に適した新しい製造プロセスを提案する。 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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