化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成
| Autor: | National Space Development Agency of Japan |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2003 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum. |
| ISSN: | 1345-7888 |
| Popis: | 資料番号: AA0046981000 レポート番号: NASDA-TMR-030006E |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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