高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較
Autor: | Yoshida, Ryoichiro, Kimura, Arisa, Ando, Motoki, Oshima, Yuta, Nabeya, Shinsuke, Hirakawa, Kenji, Iwase, Masayuki, Ogasawara, Munehiro, Yoda, Takashi, Ishihara, Noboru, Ito, Hiroyuki |
---|---|
Jazyk: | japonština |
Rok vydání: | 2020 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |