m面バルクGaN基板上への非極性GaNの成長とその評価 : 高性能電子デバイス創成の可能性

Autor:	BARRY, Ousmane I
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2018
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::7a45b576904646d3b43b643f5db2101b https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/26526 Zobrazit plný text záznamu