SSPS用高効率・高出力半導体デバイスの試作結果:宇宙エネルギー利用システムの研究

Autor:	Hisada, Yasumasa, Fujita, Tatsuhito
Jazyk:	japonština
Rok vydání:	2006
Předmět:	太陽電池 マイクロ波パワービーミング 結晶成長 semiconductor device power amplifier crystal growth 窒化ガリウム 宇宙太陽光利用システム vapor phase epitaxy solar cell マグネトロン 気相エピタキシー Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS 電力増幅器 magnetron 半導体装置 gallium nitride microwave power beaming space solar power system
Zdroj:	宇宙航空研究開発機構特別資料: 平成18年度 宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 宇宙科学研究本部 研究成果報告書 = JAXA Special Publication: Report on Research Achievements for FY2006 Institute of Space and Astronautical Science, Institute of Aerospace Technology, Japan Aerospace Exploration Agency. :171-172
ISSN:	1349-113X
Popis:	One of the SSPS Type is the microwave based power transmission (MPT) system: 'M-SSPS' For the M-SSPS, Hi-power and Hi-efficiency semiconductor device are need. In this paper, we describe R & D Program of GaN semiconductor device and the first test result of GaN semiconductor devices for M-SSPS. 資料番号: AA0049500037 レポート番号: JAXA-SP-06-006
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::541b99c20be25ef66ff1d582835d6c98 http://id.nii.ac.jp/1696/00006015/ Zobrazit plný text záznamu