| Autor: |
Ikeda, Ken-ichi, Nakashima, Hideharu, Hirota, Takeshi, Fujimoto, Kensuke, Sugimoto, Youhei, Takata, Naoki, Ii, Seiichiro, Nakashima, Hiroshi |
| Jazyk: |
japonština |
| Rok vydání: |
2006 |
| Předmět: |
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| Zdroj: |
まてりあ. 45(12):906-906 |
| ISSN: |
1340-2625 |
| Popis: |
多結晶シリコン(Si)薄膜を低温で作製するプロセスの一つとしてアルミニウムAAl)誘起結晶化(Aluminum Induced Crystallization: AIC)法が注目されている。AIC法では、Fig.1に示すように基板にAl膜→アモルファスシリコン(a-Si)膜の順に蒸着した後に、600℃以下で熱処理を施すことで、Al膜とa-Si膜が完全に入れ替わり、a-Siの結晶化により多結晶Si薄膜(c-Si)が形成される。熱処理後に入れ替わったAl膜をエッチングにより除去すれば基板上に多結晶Si薄膜を大面積で作製することができ、次世代のデバイス材料への応用が期待される。これまで、a-Si/Al多層膜において、その場加熱TEM観察により結晶化に関する報告がなされているが、a-Si/Al二層膜での結晶化機構は明らかにされていないのが現状である。そこで本研究では、AIC法による多結晶Siの形成過程を明らかにするために、TEM内その場加熱観察を行った。 |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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