Anisotropy of Conductivity in Bilayer Graphene with Relatively Shifted Layers

Autor: Litovchenko, V. G., Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 1 (2014); 79
Український фізичний журнал; Том 59 № 1 (2014); 79
ISSN: 2071-0194
2071-0186
DOI: 10.15407/ujpe59.01
Popis: A transformation of the band structure in bilayer graphene (BLG) with relatively shifted layers has been studied in the framework of the tight-binding model. BLG is demonstrated to remain a zero-gap material in the whole range of experimentally attainable shifts, but the positions of contact points between the conduction and valence bands depend substantially on the shift direction. The shift results in a considerable anisotropy of the band spectrum, which is, in turn, responsible for a substantial (10–20%) anisotropy of the conductivity in BLG. A possibility of using this anisotropy in high-sensitive sensors of a mechanical tension and for the generation of a purely valley current in multivalley anisotropic BLG in the case where both the average spin and the average current of electrons are equal to zero is discussed.
У рамках методу сильного зв’язку дослiджено трансформацiю зонного спектра двошарового графену (ДГ) зi зсунутими один щодо одного графеновими шарами. Показано, що в усьому дiапазонi експериментально актуальних значень зсуву ДГ залишається матерiалом з нульовою забороненою зоною, однак розташування точок дотикання зони провiдностi i валентної зони при цьому суттєво залежить вiд напрямку зсуву площинодна щодо одної. Наслiдком зсуву є поява суттєвої анiзотропiї зон, яка, в свою чергу, приводить до суттєвої (порядку 10–20%) анiзотропiї провiдностi ДГ. Обговорено можливе застосування такої анiзотропiї в чутливих сенсорах механiчних напружень та для генерацiї в анiзотропному багатодолинному ДГ суто долинного струму за умови рiвностi нулевi середнього електронного спiну й електронного струму.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: