Features of Radiation-Defect Annealing in n-Ge Single Crystals Irradiated with High-Energy Electrons
| Autor: | Luniov, S. V., Zimych, A. I., Khvyshchun, M. V., Maslyuk, V. T., Megela, I. G. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 2 (2019); 151 Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 151 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe64.2 |
| Popis: | Дослiджено iзотермiчний вiдпал опромiнених потоком електронiв Φ = 5 · 1015 см−2 з енергiєю 10 МеВ монокристалiв n-Ge. На основi одержаних температурних залежностей сталої Холла, з розв’язкiв рiвнянь електронейтральностi, було обчислено концентрацiю радiацiйних дефектiв, що належать А-центрам, в опромiнених монокристалах n-Ge до i пiсля вiдпалу. При температурi вiдпалу TB = 403 K, для часiв вiдпалу до трьох годин, було виявлено аномальне збiльшення сталої Холла. Вiдпал при температурi TB = 393 K протягом однiєї години призвiв до n–p конверсiї. Данi ефекти пояснюються зростанням концентрацiї А-центрiв за рахунок генерацiї вакансiй, якi утворюються при вiдпалi ядер областей розвпорядкування. The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defects (A-centers) in irradiated n-Ge single crystals are calculated both before and after the annealing. An anomalous increase of the Hall constant is found, when the irradiated n-Ge single crystals were annealed at Tan = 403 K for up to 3 h. The annealing at the temperature Tan = 393 K for 1 h gave rise to the np conversion in the researched crystals. The revealed effects can be explained by the concentration growth of A-centers owing to the generation of vacancies at the annealing of disordered crystal regions. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|