Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
| Autor: | Fedosov, A.V., Luniov, S.V., Fedosov, S.A. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2022 |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 1 (2011); 69 Український фізичний журнал; Том 56 № 1 (2011); 69 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe56.1 |
| Popis: | Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient αis determined at various temperatures. Досліджено монокристали $n$-Si з вихідною концентрацією носіїв струму 1,24 · 1014 см–3, опромінені γ-квантами Co60 дозою 3,8 · 1017 кв/см2. Досліджено п'єзоопір γ-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X ║ J ║ [100] та X ║ J ║ [110]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення і оцінено ступінь заповнення α глибоких рівнів. Обчисленовеличину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC – 0,17 еВ і нижніми долинами зони провідності n-Si при одновісній пружній деформації вздовж кристалографічних напрямків [100] і [110]. Визначено середнє значення коефіцієнта α (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|