Electrical Properties of Sis Heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
| Autor: | Orletskyi, I. G., Ilashchuk, M. I., Maistruk, E. V., Solovan, M. M., Maryanchuk, P. D., Nichyi, S. V. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 2 (2019); 164 Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 164 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe64.2 |
| Popis: | Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу температурних залежностей ВАХ встановлена динамiка змiни енергетичних параметрiв гетероструктури та з’ясована роль енергетичних станiв на межi CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe при формуваннi прямого та зворотного струмiв. На основi C–V -характеристик дослiдженi процеси акумуляцiї та iнверсiї в НДН структурi. Запропонована модель енергетичної дiаграми гетероструктури, яка добре описує експериментальнi електрофiзичнi явища. Conditions for the production of rectifying semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe with the use of the spray-pyrolysis of SnS2 thin films on p-Cd1−xZnxTe crystalline substrates with the formation of an intermediate tunnel-thin CdTeO3 oxide layer have been studied. By analyzing the temperature dependences of the current-voltage characteristics, the dynamics of the heterostructure energy parameters is determined, and the role of energy states at the CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe interface in the formation of forward and reverse currents is elucidated. By analyzing the capacity-voltage characteristics, the processes of charge accumulation and inversion in SIS structures is considered. An energy diagram of the examined heterostructure, which well describes experimental electro-physical phenomena, is proposed. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|