| Popis: |
Исследованы структуры Ni/V-TiO2- n- Si-V/Ni с пленкой TiO2, полученной методом ВЧ-магнетронного распыления мишени, изготовленной из оксида титана. Установлено, что используемая технология изготовления образцов в сочетании с отжигом пленок TiO2 при 500 ° С приводит к формированию кристаллитов анатаза и рутила в аморфной матрице; в сочетании с отжигом при 750 °С - к формированию кристаллитов только фазы рутила. Измеренные фотоэлектрические характеристики свидетельствуют о низком коэффициенте пропускания пленками TiO2 света с λ = 400 нм. |
