Получение и механизмы электропроводности тонких пленок дираковского полуметалла Cd₃As₂
Jazyk: | ruština |
---|---|
Rok vydání: | 2019 |
Předmět: | |
Popis: | В работе описывается метод выращивания высококачественных тонких пленок Cd₃As₂. Измерена зависимость электропроводности от температуры в интервале от 3 К до 300 К. В области гелиевых температур определен диапазон реализации механизма прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка по Шкловскому-Эфросу |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |