Low-frequency noise properties of beryllium δ-doped GaAs/AlAs quantum wells near the MOTT transition

Autor:	V. Palenskis, J. Matukas, S. Pralgauskaite, D. Seliuta, I. Ka, salynas, L. Subacius, G. Valusis, S. P. Khanna, and E. H. Linfield, V. Palenskis, J. Matukas, S. Pralgauskaite, D. Seliuta, I. Kasalynas, L. Subacius, G. Valusis, S. P. Khanna, E. H. Linfield
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2013
Zdroj:	J. Appl. Phys. 113, 083707.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=erc_________::80fcb52e33ba5e1c7ab6661a7a325306 Zobrazit plný text záznamu