Etude de la solidification directionnelle en creuset du silicium en vue d'un usage solaire
| Autor: | Nguyen Dinh Huynh, D. Hania, J.L. Pastol, G. Revel |
|---|---|
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 1987 |
| Předmět: |
Materials science
activation analyses crucible materials directional solidification 02 engineering and technology 010403 inorganic & nuclear chemistry polycrystalline 01 natural sciences interface shape growth method heat exchanger crystal growth from melt electronic grade Si solar energy usage upgraded metallurgical grade silicon semiconductor 021001 nanoscience & nanotechnology 0104 chemical sciences semiconductor growth molten Si [PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives impurity electrical properties solar cells Si elemental semiconductors micrography thermal exchange conditions 0210 nano-technology macrography |
| Zdroj: | Revue de Physique Appliquée Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.519-528. ⟨10.1051/rphysap:01987002207051900⟩ |
| ISSN: | 0035-1687 2777-3671 |
| DOI: | 10.1051/rphysap:01987002207051900⟩ |
| Popis: | La méthode de croissance développée permet de préparer des lingots de silicium mono et polycristallins. La solidification est réalisée de bas en haut à partir d'un échangeur de chaleur. Divers matériaux ont été testés pour la réalisation du creuset. Des échantillons de qualités électronique (Si-EG) et métallurgique améliorée (Si-UMG) sont traités. Cette méthode permet également de préparer des lingots de Si-EG enrichis volontairement en une impureté sélectionnée. Les lingots obtenus sont caractérisés par macro et micrographie, analyses par activation et mesures de propriétés électriques. L'influence des conditions d'échange thermique sur la forme de l'interface et ses conséquences sur la structure des lingots est abordée. Le comportement des impuretés au cours de la solidification est étudié. La possibilité de réaliser des cellules solaires à partir de Si-UMG est discutée. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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