Diffusion and isomer shift of interstitial iron in silicon observed via in-beam Mössbauer spectroscopy

Autor:	P. Schwalbach, B. Keck, M. Menningen, E. Kankeleit, M. Hartick, S. Laubach, R. Sielemann
Rok vydání:	1990
Předmět:	Materials science Nuclear magnetic resonance Mössbauer effect Silicon chemistry Impurity Semiconductor materials Mössbauer spectroscopy General Physics and Astronomy Physical chemistry chemistry.chemical_element Diffusion (business) Beam (structure)
Zdroj:	Physical Review Letters. 64:1274-1277
ISSN:	0031-9007
DOI:	10.1103/physrevlett.64.1274
Popis:	Premiere observation a l'echelle atomique de la diffusion du fer en position interstitielle dans le silicium, grâce a l'implantation de noyaux de 57 Fe et analyse de l'effet Mossbauer. Determination du deplacement isomere du fer et confirmation de l'hypothese selon laquelle un mecanisme unique gouverne la diffusion entre 300 et 1500 K
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fdbac78cfe5b0d3ebb1fb5f566437852 https://doi.org/10.1103/physrevlett.64.1274 Zobrazit plný text záznamu