Probing the growth window of LaVO3 perovskites thin films elaborated using magnetron co-sputtering

Autor: Fabien Capon, Emile Haye, Stéphanie Bruyère, Christophe Celindano, Alexis Boileau, Pascal Boulet, Silvère Barrat, Sylvie Migot, Sandrine Mathieu, Patrice Miska
Přispěvatelé: Institut Jean Lamour (IJL), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lorraine (UL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Namur [Namur] (UNamur), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine (UL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Geography, University of Namur, Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: Ceramics International
Ceramics International, 2019, 45 (13), pp.16658-16665. ⟨10.1016/j.ceramint.2019.05.208⟩
Ceramics International, Elsevier, 2019, 45 (13), pp.16658-16665. ⟨10.1016/j.ceramint.2019.05.208⟩
Celindano, C, Haye, E, Bruyère, S, Boulet, P, Boileau, A, Migot, S, Mathieu, S, Miska, P, Barrat, S & Capon, F 2019, ' Probing the growth window of LaVO 3 perovskites thin films elaborated using magnetron co-sputtering ', Ceramics International, vol. 45, no. 13, pp. 16658-16665 . https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.05.208
ISSN: 0272-8842
Popis: LaVO3 is a promising material for tuning and improving solar cell performances when modifying the La/V stoichiometry. However, the production of LaVO3 thin films still requires a complex process (MBE, PLD), and the growth window of LaVO3 structure in terms of La/V ratio, already defined in the literature using hybrid-MBE is not determined for elaboration based on magnetron co-sputtering of both vanadium and lanthanum targets followed by an external reducing annealing that we use here. La/V ratio has been varied from 0.52 to 1.68 by changing the power applied to the vanadium target in order to synthesize films with different La/V ratios. The off-stoichiometry growth window has been investigated by complementary methods (XRD, XPS, FTIR and TEM). X-ray diffraction highlights the LaVO3 structure for all the films. For La-rich samples (La/V ratio >1.2), the formation of lanthanum oxide La2O3 is observed at the top surface and interface with the substrate, according to XPS, FTIR and TEM investigations. On the other hand, for V-rich samples, only a slight modification of the structure is observed below the La/V ratio = 0.6; with the presence of a new IR vibration mode corresponding to a small contribution of vanadium oxide(s) present in volume. Our study allows a better definition of the LaVO3 growth window in terms of La/V ratio, estimated from 0.6 to 1.2.
Databáze: OpenAIRE