High quality factor Hybrid SAW/BAW resonators
Autor: | Barsoum, S., Hellion, C., Vermande, E., Quemper, J.M., Bousquet, M., Reinhardt, A., Laroche, T., Ballandras, S., Dubus, Bertrand |
---|---|
Přispěvatelé: | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Minatec, Frec'n'sys SASU (Frec'n'sys SASU), Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Acoustique - IEMN (ACOUSTIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA) |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | 2022 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium (EFTF/IFCS) EFTF/IFCS 2022-Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium EFTF/IFCS 2022-Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium, Apr 2022, Paris, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EFTF/IFCS54560.2022.9850764⟩ |
Popis: | Oral presentation in Session - Surface Acoustic Wave Devices; International audience; We report hybrid SAW/BAW resonators based on arrays of AlN/Mo transducers located atop a silicon substrate. Thanks to an optimized fabrication process, these devices exhibit quality factors up to 3,900 and 1,700 respectively for the pseudo-SAW and pseudo-BAW modes, at frequencies close to 600 MHz and 2.9 GHz. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |