Effects of annealing conditions on charge storage of Si nanocrystal memory devices obtained by low-energy ion beam synthesis

Autor: Konstantinos Beltsios, D. Skarlatos, Marzia Carrada, Caroline Bonafos, Dimitris Tsoukalas, Pascal Normand, Nikolay Cherkashin, Gérard Benassayag, M. Ameen, Panagiotis Dimitrakis, V. Soncini, Alain Claverie, E. Kapetanakis, A. Agarwal, Ch. Sohl
Přispěvatelé: National Center for Scientific Research 'Demokritos' (NCSR), University of Ioannina, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), National Center for Scientific Research 'Demokritos' ( NCSR ), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme ( CEMES-MEM ), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )
Rok vydání: 2003
Předmět:
Zdroj: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. 〈10.1016/S0167-9317(03)00124-2〉
ISSN: 0167-9317
1873-5568
Popis: The structural and electrical characteristics of thin silicon dioxide layers with embedded Si nanocrystals are reported fabricated by low-energy silicon implantation and with subsequent annealing in inert and diluted oxygen. Thermal treatment in diluted oxygen increases the thickness of the control oxide, does not affect significantly the size of the nanocrystals, and improves the integrity of the oxide. As a result, strong charge storage effects at low gate voltages and enhanced charge retention times are observed through electrical measurements of MOS capacitors. These results indicate that a combination of low-energy silicon implants and annealing in diluted oxygen permits the fabrication of low-voltage nonvolatile memory devices. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved. Microelectronic Engineering
Databáze: OpenAIRE
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