‘Rapid thermal annealing of cerium dioxide thin films sputtered onto silicon (111) substrates: Influence of heating rate on microstructure and electrical properties’

Autor: J. El Fallah, J.C. Pesant, R. Coq Germanicus, Y. Guhel, Philippe Descamps, Jérôme Bernard, A. Besq, B. Boudart, T. Toloshniak
Přispěvatelé: Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire catalyse et spectrochimie (LCS), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2015
Předmět:
Zdroj: Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015
Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2015, 30, pp.352-360. ⟨10.1016/j.mssp.2014.10.010⟩
ISSN: 1369-8001
Popis: International audience; The impact of the heating rate (HR) of a Rapid Thermal Annealing (RTA) on the crystallinity and on the morphology of CeO2 thin films has been investigated by Raman Spectroscopy (RS), Photoluminescence (PL), Scanning Electron Microscopy (SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), and tapping mode Atomic Force Microscopy (AFM). The electrical properties of CeO2 thin films have also been studied with the Conductive AFM mode. This paper highlights the importance of the heating rate value used during an RTA on crystalline quality, morphology and on the electrical properties of the CeO2 layer. In fact, the best crystallinity with a good morphology and a high resistivity has been obtained for a CeO2 layer sputtered on (111) Si substrate and post-annealed at 1000 °C for 30 s with an HR of 25 °C/s.
Databáze: OpenAIRE
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