First step to Si photonics: synthesis of quantum dot light-emitters on GaP substrate by MBE
| Autor: | Maud Gicquel, Hervé Folliot, Charles Cornet, Olivier Durand, Alexandre Bondi, Weiming Guo, Soline Boyer-Richard, Nicolas Chevalier, Alain Le Corre, Slimane Loualiche, Bassem Alsahwa, Antoine Létoublon, Jacky Even |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lab-STICC_TB_CID_SFIIS, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CPER PONANT, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2008 |
| Předmět: |
Materials science
Photoluminescence Silicon photonics chemistry.chemical_element GaP quantum dots 02 engineering and technology Substrate (electronics) 01 natural sciences 0103 physical sciences 010302 applied physics business.industry Atomic force microscopy Relaxation (NMR) silicon 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics chemistry Quantum dot 68.37.Ps 68.65.Hb 78.55.Cr 78.67.Hc 81.07.Ta 81.15.Hi [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic Optoelectronics Photonics 0210 nano-technology business Molecular beam epitaxy |
| Zdroj: | 9th International Conference Trends in Nanotechnologies (TNT 2008) 9th International Conference Trends in Nanotechnologies (TNT 2008), Sep 2008, Oviedo, Spain. pp.2207, ⟨10.1002/pssc.200881722⟩ |
| DOI: | 10.1002/pssc.200881722⟩ |
| Popis: | International audience; We have grown InAs and InP quantum dots (QDs) on GaP substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and analysed them by Atomic Force Microscopy (AFM) and photoluminescence (PL). AFM images confirm the formation of InAs and InP QDs. Largest InAs QDs density is obtained at a growth temperature of 450 °C and under an AsH3 flux of 0.3SCCM. The evolution of QDs shape and absence of photoluminescence indicate a likely plastic relaxation of the strain between InAs and GaP. Concerning InP/GaP QDs, their lateral size, height and density indicate good quality QDs. Photoluminescence signal has been detected for capped InP/GaP QDs until 180 K. The unchanged peak position with respect to InP coverage is attributed to the nearly constant height of the QDs. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|