TlSe İnce Filminin Dalgalı İletkenliği
| Autor: | Kemal Ulutas |
|---|---|
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Politeknik Dergisi |
| ISSN: | 1302-0900 2147-9429 |
| DOI: | 10.2339/politeknik.417769 |
| Popis: | TlSe kristallerinin ısıl buharlaştırılması ile 900 Å kalınlığında hazırlanmış TlSe ince filminin kapasitans (C) ve dielektrik kayıpfaktörü (tan δ) omik özellik gösteren Al elektrotlar kullanılarak ölçülmüştür. Hazırlanan TlSe ince filmlerin dielektrik sabiti ( ε'),dielektrik modülün gerçek (M') ve sanal kısımları (M'') ile dalgalı iletkenliği (σac) , 100 Hz-106 Hz frekans ve 213-393 K sıcaklıkaralığında hesaplanmıştır. Cole-Cole eşitliği kullanılarak yapıdaki rahatlama zamanları belirlenmiştir. TlSe ince filmlerinindielektrik parametrelerinin artan frekansla azaldığı ve artan sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. Bu davranış yapıda birden fazlakutuplanma mekanizmasının varlığıyla açıklanabilir. AC iletkenliğin,ωs ilişkisini ( s Capacitance (C) and dielectric loss factor (tan δ) of TlSethinfilm with thickness of 900 Å, measured via thermal evaporation ofTlSecrystals, have been measured using ohmic Al electrodes. Dielectric constant (ε'),dielectric loss (εr''),reel part and imaginary part ofdielectric modulus and ac conducticity of the TlSethin films have been calculated in the frequency range 100 Hz-106Hz and within the temperature interval 213-393K. Relaxation times instructure were derived by using Cole-Cole relation. The dielectric parametersof TlSethin film are found to decrease with increasing frequency andincrease with increasing temperature. This behavior can be explained as themulticomponent polarizationin the structure. The ac conductivity obeys theωslaw with s(s |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|