null Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
| Autor: | Hammes, David |
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| Přispěvatelé: | Eckel, Hans-Günter, Bernet, Steffen, Krug, Dietmar, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik. |
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2021 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18453/rosdok_id00003458 |
| Popis: | Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden. The work deals with semiconductor short circuits occurring in the three-level Active-Neutral-Point-Clamped converter. They have the disadvantage that after a breakdown of a semiconductor, there is the danger that further components are destroyed, and consequential damage occurs. Therefore, the work has the task of investigating all possible switching combinations in the converter to generate the three-phase output voltages, which breakdown of a semiconductor can occur, and which short circuits will finally result from it. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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