Tellurium Effect on Degradation Stability of Semiinsulating Gallium Arsenide Crystals
| Autor: | S. E. Pritchin, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A. P. Oksanich, V.O. Yukhymchuk, Nickolai I. Klyui, F. V. Fomovskii |
|---|---|
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: |
degradation stability of crystals
Materials science internal mechanical stresses Inorganic chemistry PACS 78.30.Fs 81.40.Tv General Physics and Astronomy chemistry.chemical_element метод Чохральського внутрiшнi механiчнi напруження Czochralski technique Gallium arsenide chemistry.chemical_compound chemistry Degradation (geology) деградацiйна стiйкiсть кристалiв Tellurium |
| Zdroj: | Scopus-Elsevier Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 11 (2014); 1093 Український фізичний журнал; Том 59 № 11 (2014); 1093 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe59.11 |
| Popis: | Initial untreated crystals of semiinsulating tellurium-compensated GaAs are shown to degrade considerably less after HF treatments in comparison with the corresponding specimens doped with chrome, which testifies to a substantial influence of the compensating impurity type on the substance degradation stability. Semiinsulating tellurium-compensated GaAs crystals preliminary treated in hydrogen plasma are also found to have higher degradation stability withrespect to the action of long-term high-frequency and microwave treatments in comparison with raw crystals. Показано, що вихiднi, необробленi кристали напiвiзолюючого GaAs, компенсованi телуром, пiсля ВЧ-обробок деградують iстотно менше порiвняно зi зразками, легованими хромом. Даний ефект свiдчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домiшки на деградацiйну стiйкiсть матерiалу. Також встановлено, що кристали напiвiзолюючого GaAs, компенсованi телуром, що пройшли попередню обробку в плазмi водню, мають вищу деградацiйну стiйкiсть до впливу тривалих високочастотних i мiкрохвильових обробок, порiвняно з необробленими кристалами. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|