Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN
| Autor: | L. V. Fomina, N. V. Komarovskih, S. A. Beznosyuk |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: |
GALLIUM ARSENIDES
УСТОЙЧИВОСТЬ НАНОЧИПОВ Materials science Molar concentration General Chemical Engineering Intermediate layer Analytical chemistry chemistry.chemical_element Gallium nitride Crystal structure CRYSTAL STRUCTURE КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ chemistry.chemical_compound Condensed Matter::Materials Science THERMODYNAMICS Materials Chemistry Physics::Chemical Physics арсениды галлия STABILITY OF NANOCHIPS QD1-999 ТЕРМОДИНАМИКА Condensed matter physics Condensed Matter::Other НИТРИД ГАЛЛИЯ General Chemistry Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect Nitrogen Surface energy нитрид галлия Chemistry chemistry устойчивость наночипов квантово-химические расчеты АРСЕНИДЫ ГАЛЛИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА quantum-chemical calculations stability of nanochips gallium arsenides gallium nitride thermodynamics crystal structure Layer (electronics) QUANTUM-CHEMICAL CALCULATIONS термодинамика кристаллическая структура GALLIUM NITRIDE |
| Zdroj: | Chimica Techno Acta, Vol 2, Iss 1, Pp 78-87 (2015) Chimica Techno Acta; Том 2, № 1 (2015); 78-87 |
| ISSN: | 2411-1414 2409-5613 |
| Popis: | In this work the study of the stability nanochips GaAs / GaAsxNy / GaN is presented. For the calculation of parameters used quantum-chemical and thermodynamic approaches. The calculations of the surface free energy nanochips within the models used show that a significant contribution to the crystalline structure stability of the GaN layer is the molar concentration of nitrogen atoms in the intermediate layer GaAsxNy nanochips GaAs / GaAsxNy / GaN. В работе представлено исследование устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN. Для расчетов параметров применялись квантово-химический и термодинамических подходы. Расчеты свободной поверхностной энергии наночипов в рамках используемых моделей показывают, что существенный вклад на кристаллическую структуру слоя GaN носит мольная концентрация атомов азота в промежуточном слое GaAsxN наночипа GaAs/GaAsxNy/GaN. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|