InGaN/GaN short-period superlattices: synthesis, properties, applications
Autor: | W. V. Lundin, Anton E. Chernyakov, Andrey E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul’nikov, A. L. Zakgeim, S. O. Usov, E. E. Zavarin, M. A. Synitsin, N. V. Kryzhanovskaya, Nikolay Cherkashin, Martin Hÿtch, V. S. Sizov, E.V. Yakovlev |
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Přispěvatelé: | Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA) |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2011 |
Předmět: |
[PHYS]Physics [physics]
Materials science Photoluminescence business.industry Superlattice 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics 01 natural sciences law.invention 010309 optics law 0103 physical sciences Optoelectronics Quantum efficiency Metalorganic vapour phase epitaxy 0210 nano-technology business High-resolution transmission electron microscopy Luminescence Quantum well Light-emitting diode |
Zdroj: | physica status solidi (c) physica status solidi (c), 2011, 8 (7-8), pp.2308--2310. ⟨10.1002/pssc.201001040⟩ physica status solidi (c), Wiley, 2011, 8 (7-8), pp.2308--2310. ⟨10.1002/pssc.201001040⟩ |
ISSN: | 1610-1634 1610-1642 |
DOI: | 10.1002/pssc.201001040⟩ |
Popis: | International audience; InGaN/GaN short‐period superlattices were fabricated using method based on cycle conversion of surface InGaN layer to GaN by applying of growth interruptions in hydrogen atmosphere. SPSLs having total thickness from 12 nm to 120 nm were grown and investigated by combination of optical methods, XRD and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) with geometric phase analysis. Blue, deep green (540‐560 nm) and monolithic white LEDs (containing in active region green and blue InGaN QWs separated by the SPSL or GaN barrier) were grown and investigated. Deep green LEDs have maximal external quantum efficiency of 8‐16% in the range of 560‐540 nm correspondingly. Monolithic white LED structures with CCT in the range of 5000‐6000 K have maximal external quantum efficiency of more than 6%. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |