Large effects of pressure induced inelastic channels on interface thermal conductance

Autor: Sebastian Volz, Deepak Srivastava, Jiankuai Diao, Natalio Mingo, Yann Chalopin
Přispěvatelé: Laboratoire d'Énergétique Moléculaire et Macroscopique, Combustion (EM2C), Université Paris Saclay (COmUE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CentraleSupélec, Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN), Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris Saclay (COmUE)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2012
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 101 (22), pp.221903. ⟨10.1063/1.4766266⟩
Applied Physics Letters, 2012, 101 (22), pp.221903. ⟨10.1063/1.4766266⟩
ISSN: 0003-6951
Popis: International audience; A large effect of pressure on the thermal conductance of silicon/carbon nanotube junctions is shown to result from induced anharmonicity at the interface. Through atomistic simulations, we demonstrate the opening of pressure induced inelastic phonon channels, which are responsible for a several fold increase of the thermal conductance.
Databáze: OpenAIRE