Intrinsic optical confinement for ultrathin InAsN quantum well superlattices
| Autor: | Abdallah Sakri, Jean-Marc Jancu, Clotilde Des Robert, Jacky Even, Olivier Durand, Charles Cornet, Laurent Pedesseau |
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| Přispěvatelé: | Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: |
Physics
Condensed matter physics business.industry optical confinement Superlattice super lattices 020206 networking & telecommunications 02 engineering and technology InAsN ultrathin GaAs/GaP QW heterosturcture Monolayer 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic Optoelectronics 020201 artificial intelligence & image processing PACS: 78.67.De business Quantum well |
| Zdroj: | AIP Conference Proceedings THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012) 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Jul 2012, Zurich, Switzerland. pp.464, ⟨10.1063/1.4848486⟩ |
| ISSN: | 0094-243X 1551-7616 |
| DOI: | 10.1063/1.4848486⟩ |
| Popis: | International audience; We study energy-band engineering with InAsN monolayer in GaAs/GaP quantum well structure. A tight-binding calculation indicates that both type I alignment along with direct band-gap behavior can be obtained. We show that the optical transitions are less sensitive to the position of the probe. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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