Preferential incorporation of substitutional nitrogen near the atomic step edges in diluted nitride alloys
| Autor: | T. Nguyen Thanh, A. Rambaud, Antoine Létoublon, Olivier Durand, Jithesh Kuyyalil, A. Le Corre, T. Rohel, Thomas Quinci, Samy Almosni, N. Bertru, Charles Cornet |
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| Přispěvatelé: | Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département des Technologies Solaires (DTS), Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN), Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), We acknowledge 'Region Bretagne' through the PONANT project including FEDER funds., Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Materials science Physics and Astronomy (miscellaneous) business.industry chemistry.chemical_element 02 engineering and technology Nitride 021001 nanoscience & nanotechnology Epitaxy 01 natural sciences Nitrogen Semiconductor chemistry Chemical physics 0103 physical sciences Surface roughness [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic Step edges Growth rate 0210 nano-technology business Molecular beam epitaxy |
| Zdroj: | Applied Physics Letters Applied Physics Letters, 2012, 101 (25), pp.251906. ⟨10.1063/1.4772785⟩ Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 101 (25), pp.251906. ⟨10.1063/1.4772785⟩ |
| ISSN: | 0003-6951 |
| DOI: | 10.1063/1.4772785⟩ |
| Popis: | International audience; We have investigated the influence of the surface roughness on nitrogen incorporation during the molecular beam epitaxy of diluted nitrides, independently of the other growth parameters. GaPN/GaP layers grown simultaneously on surfaces displaying different roughnesses reveal a large difference in nitrogen incorporation despite the same growth temperature and growth rate. The same difference is found on quasi-lattice-matched GaAsPN demonstrating that the phenomenon is not related to any strain-induced mechanisms. The tendency is clearly confirmed when varying the growth conditions. As a direct consequence, the incorporation of substitutional nitrogen near the atomic step edges is found to be 6.7 times more probable than the in-plane nitrogen incorporation. The formation of N-Ni clusters and their stability on the surface is discussed. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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