Room temperature optically pumped GeSn microdisk lasers

Autor: J. Chrétien, Q. M. Thai, M. Frauenrath, L. Casiez, A. Chelnokov, V. Reboud, J. M. Hartmann, M. El Kurdi, N. Pauc, V. Calvo
Přispěvatelé: Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Langevin - Ondes et Images (UMR7587) (IL), Ecole Superieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris (ESPCI Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 2022, 120 (5), pp.051107. ⟨10.1063/5.0074478⟩
ISSN: 0003-6951
DOI: 10.1063/5.0074478⟩
Popis: International audience; GeSn alloys are promising materials for light emitters monolithically grown on silicon. In this work, we demonstrate room temperature (RT) lasing in a GeSn hetero-structure with 17.2% of Sn. We report a threshold of 3:27MWcm2 at 305K with peak emission at 353meV. We ascribe these improvements to a higher tin concentration in the GeSn active layer with lower Sn content barriers on each side and to a better thermal dissipation provided by an adapted pedestal architecture beneath the GeSn micro-disk. This outcome is a major milestone for a fully integrated group-IV semiconductor laser on Si.
Databáze: OpenAIRE
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