Estudo de 'Clusters' de GaAs pelo método de espalhamento múltiplo (SCF-Sw-Xa)
| Autor: | Castilho, Caio Mario Castro de |
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| Přispěvatelé: | Parada, Nelson de Jesus, 1939, Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física, UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS |
| Rok vydání: | 2021 |
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| Zdroj: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) instacron:UNICAMP |
| DOI: | 10.47749/t/unicamp.1976.46866 |
| Popis: | Orientador: Nelson de Jesus Parada Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Resumo: No presente trabalho estudamos diversos "clusters" de GaAs com os átomos-constituintes dispostos segundo a configuração do cristal, utilizando o método de espalhamento múltiplo auto-consistente com parâmetro a para o termo de troca variável (SCF - SW - Xa). Os diversos "clusters" diferenciam-se pelo número de átmos escolhidos, pela natureza do átomo no centro do sistema e pelo potencial em cada uma das regiões. Com as modificações procedidas de um "cluster" para outro, e com a auto-consistência, analisamos a evolução dos níveis de energia obtidos bem como a carga em cada uma das regiões do sistema. Considerando a natureza covalente das ligações neste semicondutor e devido ao fato de se tomar como vazio o exterior da esfera que circunscreve o "cluster", é proposto um novo critério para a localização do "gap", distinto de considerar a transição entre o último nível "cheio" e o primeiro nível "vazio". Dentro desta ótica obtem-se um valor para o "gap" da mesma ordem de grandeza do valor experimental, cujo valor evolui no sentido aproximar-se deste, quando são efetuadas as modificações com o intuito de reproduzir melhor as condições do cristal real Abstract: Not informed Mestrado Física Mestre em Física |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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