Extended Generation Profile - E.B.I.C. Model

Autor: C. Grill, B. El Jani, N. Lakhoua, Samir Guermazi, A. Toureille
Přispěvatelé: Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 1996
Předmět:
Zdroj: Journal de Physique III
Journal de Physique III, EDP Sciences, 1996, 6 (4), pp.481-490. ⟨10.1051/jp3:1996136⟩
ISSN: 1155-4320
1286-4897
DOI: 10.1051/jp3:1996136⟩
Popis: Nous avons devoloppe un modele de calcul du courant induit par un faisceau d'electrons avec un profil de generation elargi. Le profil de generation tient compte, en plus du nombre d'electrons absorbes et du nombre d'electrons diffuses en fonction de la profondeur, de la diffusion laterale (en prenant en consideration la diffusion angulaire), de l'effet des defauts, des dislocations et de la recombinaison a la surface. L'expression analytique du courant induit E.B.I.C est determinee par resolution de l'equation de continuite en regime permanent par la methode des fonctions de Green. Le profil de courant induit obtenu dans le cas d'une diode Schottky Au/InP dope p et fabrique par implantation suivit d'un recuit, est compare au profil de courant theorique dont l'expression analytique est explicitee par Van Roosbroeck et Bresse. Le profil de courant experimental, mesure par un microscope electronique a balayages nous a permis de calculer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires L n = 1 μm. La courbe theorique, tracee a partir du modele propose, est en bon accord avec la courbe experimental pour une vitesse de recombinaison a la surface de 10 4 cm s -1 . Ces resultats sont conformes avec ceux obtenus par d'autres techniques experimentales sur les memes echantillons.
Databáze: OpenAIRE
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