Etching of the SiGa x N y Passivation Layer for Full Emissive Lateral Facet Coverage in InGaN/GaN Core–Shell Nanowires by MOVPE

Autor: Julien Bosch, Pierre-Marie Coulon, Sébastien Chenot, Marc Portail, Christophe Durand, Maria Tchernycheva, Philip A. Shields, Jesús Zúñiga-Pérez, Blandine Alloing
Přispěvatelé: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), University of Bath [Bath], COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Crystal Growth & Design
Crystal Growth & Design, 2022, 22 (9), pp.5206-5214. ⟨10.1021/acs.cgd.2c00286⟩
ISSN: 1528-7483
1528-7505
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE