Y-shaped double-gate high electron mobility transistor for radio frequency applications
Autor: | Santashraya Prasad, Aminul Islam |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | International Journal of Nanoparticles. 14:181 |
ISSN: | 1753-2515 1753-2507 |
DOI: | 10.1504/ijnp.2022.126356 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |