Y-shaped double-gate high electron mobility transistor for radio frequency applications

Autor: Santashraya Prasad, Aminul Islam
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: International Journal of Nanoparticles. 14:181
ISSN: 1753-2515
1753-2507
DOI: 10.1504/ijnp.2022.126356
Databáze: OpenAIRE