Strain-Reduction Induced Rise in Channel Temperature at Ohmic Contacts of GaN HEMTs
| Autor: | Mohammed Boucherta, Wei D. Zhang, Brahim Benbakhti, Nour Eddine Bourzgui, S. J. Duffy, Karol Kalna, Ali Soltani |
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| Přispěvatelé: | China Aerospace Science and Industry Corporation (CASIC), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
AlGaN/GaN based devices
Diffraction Materials science General Computer Science TK Synchrotron radiation 02 engineering and technology 01 natural sciences Temperature measurement [SPI]Engineering Sciences [physics] Operating temperature Electric field 0103 physical sciences 0202 electrical engineering electronic engineering information engineering General Materials Science Ohmic contact Electrical conductor ComputingMilieux_MISCELLANEOUS 010302 applied physics business.industry infrared camera self-heating General Engineering Wide-bandgap semiconductor high-resolution X-ray diffraction ohmic contact 020206 networking & telecommunications Optoelectronics lcsh:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering business lcsh:TK1-9971 |
| Zdroj: | IEEE Access IEEE Access, IEEE, 2018, 6, pp.42721-42728. ⟨10.1109/ACCESS.2018.2861323⟩ IEEE Access, Vol 6, Pp 42721-42728 (2018) IEEE Access, 2018, 6, pp.42721-42728. ⟨10.1109/ACCESS.2018.2861323⟩ |
| ISSN: | 2169-3536 |
| DOI: | 10.1109/ACCESS.2018.2861323⟩ |
| Popis: | International audience; ABSTRACT Operating temperature distributions in AlGaN/GaN gateless and gated devices arecharacterized and analyzed using the InfraScope temperature mapping system. For the first time, a substantialrise of channel temperature at the inner ends of ohmic contacts has been observed. Synchrotron radiationbased high-resolution X-ray diffraction technique combined with drift–diffusion simulations show that strainreduction at the vicinity of ohmic contacts increases electric field at these locations, resulting in the riseof lattice temperature. The thermal coupling of a high conductive tensile region at the contacts to a lowconductive channel region is an origin of the temperature rise observed in both short- and long-channelgateless devices. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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