| Popis: |
Дослідження спрямоване на покращення амбіполярної поведінки та низького струму увімкнення гетеродіелектричних BOX та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом. Тунельні польові транзистори (TFETs), які працюють на явищі тунелювання, можуть обійти обмеження MOSFETs завдяки масштабованості пристрою. Допороговий струм, індуковане стоком зниження бар'єру і ефекти гарячих електронів належать до обмежень MOSFETs через масштабування пристрою. TFET не відповідає вимогам ITRS щодо високого струму увімкнення, що сумісно зі схемами на основі MOSFETs. Для покращення низького струму TFETs можна використовувати різні структури, матеріали каналу, оксидні матеріали затвора та відповідні роботи виходу затвора. У дослідженні ми пропонуємо та розробляємо гетероперехідний двоматеріальний TFET. Гетероперехідний TFET з подвійним затвором вивчався раніше. Струм увімкненого стану покращено, а амбіполярний струм зменшено порівняно зі стандартним TFET, збільшення струму увімкненого стану зменшує підпорогову крутизну. Крім того, TFET з подвійним затвором має вищу продуктивність, ніж звичайний TFET. Додавання гетеропереходу до пристрою сприяє зменшенню забороненої зони на переході між джерелом та каналом, а оксид затвора та перехід працюють разом, щоб збільшити струму стоку (ID), одночасно знижуючи паразитну силу. Концепція гетеро заглибленого оксиду разом із подвійним матеріалом гетеропереходу інтегрована для кращих результатів. Спочатку поверхневий потенціал виводиться за допомогою рівняння Пуассона, розділеного порівну на області заглибленого оксиду SiO2 і HfO2. Бічні та вертикальні електричні поля реалізуються за допомогою поверхневого потенціалу та потенціалу вздовж осі Y. Вихідним матеріалом є InGaAs, цільовим матеріалом є InP, а гетеродіелектрик SiO2/high-k використовується як оксидний матеріал затвора. Моделювання виконується за допомогою SILVACO TCAD. This study aims to enhance the ambipolar behavior and low-ON current of hetero dielectric BOX and heterojunction dual material TFETs. Tunnel FETs (TFETs), which work on tunnelling phenomenon, can circumvent MOSFET limitations owing to device scalability. Subthreshold current, drain-induced barrier lowering, and hot electron effects are among MOSFET restrictions owing to device scaling. TFET does not fulfil the ITRS requirement for a high ON current, which is compatible with MOSFET-based circuits. Different structures, channel materials, gate oxide materials, and appropriate gate work-functions can be used to improve the low ON current of TFETs. We propose and develop a heterojunction dual material TFET in this study. Heterojunction double gate TFET has been studied previously. The ON-state current is improved and the ambipolar current is reduced compared to the standard TFET, increasing the ONstate current lowers the subthreshold slope. Also, the dual gate TFET has higher performance than conventional TFET. The addition of heterojunction to the device aids in the reduction of the band gap at the source channel junction, and the gate oxide and junction work together to increase drain current (ID) capacity while lowering parasitic strength. The concept of hetero buried oxide along with heterojunction dual material is integrated together for better outcomes. Initially the surface potential is derived using Poison’s equation divided equally for regions of buried oxide as SiO2 and HfO2. Lateral and vertical electric fields are implemented using the surface potential and the potential along the Y-axis. The source material is InGaAs, the target material is InP and SiO2/high-k hetero dielectric is used as the gate oxide material. Simulation is done with SILVACO TCAD. |
