The preparation of flat H–Si(111) surfaces in 40% NH4F revisited

Autor: Danial D. M. Wayner, Sylvie Morin, Catherine Henry de Villeneuve, Rabah Boukherroub, Philippe Allongue
Přispěvatelé: Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), Laboratoire de physique de la matière condensée (LPMC), École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Recherche Interdisciplinaire [Villeneuve d'Ascq] (IRI), Université de Lille, Sciences et Technologies-Université de Lille, Droit et Santé-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2000
Předmět:
Zdroj: Electrochimica Acta
Electrochimica Acta, 2000, 45 (28), pp.4591-4598. ⟨10.1016/S0013-4686(00)00610-1⟩
ISSN: 0013-4686
DOI: 10.1016/S0013-4686(00)00610-1⟩
Popis: The reasons why ideally flat H–Si(111) surface can be prepared by NH 4 F etching are investigated from correlation between AFM observations and experimental conditions used for etching. It is shown that pitting may be completely suppressed if a one side polished wafer is immersed in an oxygen free solution. An analytical electrochemical study of the (111) and rough face of the same n-Si wafer is presented to yield insight into observations.
Databáze: OpenAIRE